Ram

DRAM
DRAM (Dynamic Random Access Memory) เป็นแรมชนิดแรกๆ ที่มีการผลิต ทำงานได้ช้า เพราะต้องมีการเขียนข้อมูลลงไปซ้ำหลายครั้ง เพื่อรักษาข้อมุลภายใน DRAM ให้คงอยู่ เราเรียกการเขียนข้อมูลลงไปซ้ำๆ นี้ว่าการรีเฟรช
SRAM
SRAM (Static Random Access Memory) เป็นแรมที่ไม่ต้องการการรีเฟรช เพื่อรักษาคำสั่งหรือข้อมูลภายในเอาไว้ ดังนั้น SRAM จึงทำงานได้เร็วกว่า DRAM แต่ SRAM มีราคาแพง บนเมบอร์ดโดยทั่วไปจึงใช้ DRAM เป็นหลักและใช้ SRAM เป็นแคช
Fast Page Mode DRAM
แรมชนิดนี้ส่วนใหญ่จะรู้จักกันในชื่อ FPM DRAM ได้รับการพัฒนาขึ้นมาจาก DRAM แต่ยังไม่มีความเร็วไม่มากนัก
EDO DRAM
EDO (Extended Data Output) DRAM เป็นแรมที่มีความเร็วในกาทำงานสูงกว่า FPM DRAM เพราะ EDO สามารถติดต่อรับส่งข้อมูลที่เป็นคำสั่งหรือค่าต่างๆ กับแคชภายในซีพียูได้ทีละบล็อค ซึ่ง FPM DRAM จะทำได้ทีละไบต์เท่านั้น จึงทำให้ EDO ทำงานได้เร็วกว่า EDO สามารถทำงานกับความเร็วบัสได้ถึง 66 MHz แต่ในทางปฏิบัติจริงๆ แล้ว EDO สามารถใช้กับความเร็วบัสได้สูงถึง 83.3 MHz EDO จะทำงานได้ดีเมื่อใช้กับแคชที่เป็นแบบ Pipeline Burst
BEDO DRAM
BEDO (Burst Extended Data Output) DRAM เป็นแรมชนิดพิเศษที่พัฒนาจาก EDO สามารถส่งถ่ายข้อมูลได้ทันกับช่วงสัญญาณนาฬิกาของซีพียู แต่ BEDO จะทำได้ในช่วงสั้นๆ เท่านั้น ซึ่งช่วงเวลาที่ BEDO สามารถส่งถ่ายข้อมูลได้ทันกับทุกช่วงสัญญาณนาฬิกาของซีพียูขะถูกเรียกว่า Burst ซึ่งเป็นที่มาของชื่อ BEDO นั่นเอง BEDO สนับสนุนความเร็วบัสได้ 66 MHz เช่นเดียวกับ EDO ตามปกติแรมโดยทั่วไปจะทำงานได้ช้ากว่าซีพียู ซึ่งจะทำให้ซีพียูเกิดช่วงเวลาของการรอคอยที่เรียกว่า Wait States ขึ้น ความสามารถในการ Burst ของ BEDO จะช่วยให้ช่วงเวลารอคอยดังกล่าวลดน้อยลง
Parity RAM
แรมแบบมี Parity คือแรมที่มีการตรวจสอบความผิดพลาดของข้อมูลที่ส่งเข้ามาในแรม แรมแบบมี Parity ในหนึ่งไบต์จะมีอยู่ 9 บิต ในขณะที่แรมที่ไม่มี Parity จะมีอยู่ปกติ บิต ดังนั้นถ้าเป็น 1 x 32 จะเป็นแรมที่ไม่มี Parity เพราะตัวเลขตัวหลังหารด้วย 8 ได้ลงตัว ส่วนแรม 1 x 36 เลขตัวหลังหารด้วย 9 ลงตัว แสดงว่าเป็นแรมที่มี Parity แรมแบบมี Parity จะมีชิพเพิ่มเติมเข้ามา มีชื่อเรียกว่า Parity Bit ชิพนี้จะทำหน้าที่ตรวจสอบข้อมูลที่ผ่านเข้าออกแรมว่ามีความผิดพลาดหรือไม่ แต่ข้อเสียของแรมแบบมี Parity คือไม่สามารถระบุตำแหน่งที่เกิดข้อผิดพลาดได้ แรมแบบมี Parity นิยมใช้กับเครื่อง Server เพราะช่วยลดการ Crash ของเครื่องให้น้อยลงได้
ECC RAM
ECC (Error Correction Code) Ram ก็คือแรมที่มี Parity นั่นเอง โดย ECC RAM สามารถแก้ไขข้อผิดพลาดที่เกิดขึ้นจากแรมให้เหลือเพียง 1 บิตได้ และด้วยความสามารถในการแก้ไขข้อผิดพลาดของ ECC นี้เองที่ทำให้แรมชนิดนี้มีราคาที่ค่อยข้างแพง เครื่องที่เป็น Server นิยมใช้แรมประเภทนี้เพราะว่าช่วยป้องกันการ Crash ที่เกิดขึ้นจากแรมได้ ( ECC RAM เป็นคนละอย่างกับแรมที่มี Buffer เคยเจอร้านในพันทิพย์มั่วบอกว่าเป็นแรมอย่างเดียวกัน แรมแบบมี Buffer มีคนเคยบอกว่าเป็นแรมที่มีขนาดใหญ่ ที่มี Buffer ในการทำ Index ข้อมูลในแรม คิดว่าอาจจะคือ Tag RAM ใครมีรายละเอียดมากกว่านี้ช่วยบอกด้วย )
SDRAM
SDRAM (Synchronous DRAM) ทำงานคล้ายๆ กับ BEDO แต่ SDRAM ทำได้ดีกว่า กล่าวคือ SDRAM สามารถส่งถ่ายข้อมูลได้ทันทุกช่วงสัญญาณนาฬิกาของซีพียู ซึ่งทำให้ซีพียูสามารถประมวลผลได้ทันทีโดยไม่ต้องคอยแรม ช่วงเวลาที่ SDRAM สามารถส่งถ่ายข้อมูลได้ทันซีพียูนี้ จะยาวกว่าที่ BEDO ทำได้ จึงเป็นเหตุผลว่าทำไม SDRAM จึงเร็วกว่า BEDO
SDRAM ออกมาเป็นโมดูลแบบ DIMM ขนาด 64 บิต ที่มีจำนวนขา 168 พิน ทีออกมาตั้งแต่ความเร็ว 8 -12 ns ในระยะแรกมีเฉพาะความเร็วบัส 66 MHz ต่อมามีการออก SDRAM ที่มีความเร็วบัส 100 MHz หรือเรียกว่า PC100 โดยคุณสมบัติของ SDRAM PC100 ที่ดีจะต้องประกอบด้วยชั้นของวงจรจำนวน 6 ชั้น เพื่อไม่ให้เกิดสัญญาณรบกวนขึ้น แต่ก็มีผู้ผลิตแรมบางรายที่ผลิตออกมาเพียง 4 ชั้น ซึ่งอาจจะทำให้เกิดความเสียหายที่ตัวแรม อันเนื่องมากจากการมีสัญญาณรบกวนได้ SDRAM PC100 จะมีระยะห่างของลายวงจรอยู่พอสมควร เพื่อป้องกันการกวนสัญญาณกัน ที่สำคัญ SDRAM PC100 จะต้องมีชิพ SPD EEPROM ขนาดเล็กจำนวน 8 ขา อยู่บนแผงโมดูลด้วย ซึ่งชิพนี้จะใช้เก็บข้อมูลของแรมเอาไว้ ไม่ว่าจเป็นขนาดของแรม ความเร็ว แรงดันไฟฟ้า และจำนวนแอดเดรสของแรม โดยที่ชิพเซตและไบออสของเมนบอร์ดจะเข้ามาอ่านค่าภายใน EEPROM นี้ คุณสมบัติในการตรวจสอบข้อมูลภายใน EEPROM จะเรียกว่า SPD (Serial Presence Detect) SDRAM ที่มี SPD EEPROM จะสามารถใช้ได้กับเมนบอร์ดได้หลากหลายยี่ห้อ โดยไม่เกิดปัญหาความไม่คอมแพตกันระหว่าง SDRAM กับเมนบอร์ด จนถึงปัจจุบัน SDRAM มีออกมาที่ความเร็วบัส 133 MHz (PC133) และมีแนวโน้มว่าจะออกความเร็วบัสที่ 166 NHz ในอีกไม่ช้า
DDR SDRAM (SDRAM II)
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) ได้รับการคิดค้นและพัฒนาขึ้นโดย Jedec Consortium (Joint Electron Devices Engineering Councils) และได้รับการสนับสนุนจาก Micron, Fujitsu, Toshiba และบริษัทต่างๆ รวมทั้ง VIA Technilogies ผู้ผลิตชิพเซต VIA
การทำงานของ DDR SDRAM จะใช้วิธีการเพิ่มความเร็วเป็นสองเท่า ซึ่งก็คือที่มาของชื่อ DDR (Double Data Rate) นั่นเอง คล้ายๆ กับการทำงานในโหมดความเร็ว 2X ของ AGP
DDR SDRAM จะมีลักษณะเช่นเดียวกับ SDRAM คือมีจำนวนพินอยู่ 168 พิน เพื่อให้ง่ายต่อการออกแบบวงจรบนเมนบอร์ดในอนาคตของผู้ผลิต มีออกมาในรุ่นที่มีความเร็ว 83.3, 100 และ 125 MHz แต่ในอนาคตอาจจะเลิกผลิต 83.3 MHz และมีการเพิ่ม 133 MHz เข้าไป ซึ่งเมื่อเพิ่มความเร็วเป็น 2 เท่าแล้ว จาก 83.3 MHz ก็จะได้ประมาณ 150 MHz และ 200, 250, 266 MHz ตามลำดับ
DDR SDRAM จะมีความเร็วมากกว่า SDRAM กล่าวคือ DDR SDRAM มีอัตราการส่งถ่ายข้อมูลประมาณ 256 MB/s ขณะที่ SDRAM มีอัตราการส่งถ่ายข้อมูลประมาณ 128 MB/s และ DDR SDRAM มี Access Time น้อยกว่า 10 ns ส่วน SDRAM มี Access Time ประมาณ 8-12 ns
SLDRAM
SLDRAM เกิดขึ้นด้วยความร่วมมือของบริษัทต่างๆ ซึ่งได้แก่ IBM, Apple, Micron, Motorola และ Siemens โดยมีหลายบริษัทที่เป็นสมาชิกทั้งกลุ่มของ SLDRAM, DDR และ Rambus
ใน SLDRAM จะใช้สถาปัตยกรรม Super Pipelined ลดไซเคิลการทำงานบางอย่างที่ทำให้ความเร็วลดลงออกไป ด้วยความเร็วของ SLDRAM ทำให้สามารถทำงานได้ทันกับความเร็วบัส อีกทั้งใช้พลังงานต่ำและมีระบบประหยัดพลังงานภายในอีกด้วย
ในระยะแรก SLDRAM ที่ออกมาจะมีความเร็ว 400 MHz และมีความเร็ว 800 MHz เมื่อเพิ่มความเร็วเป็น 2 เท่า (DDR) อัตราความเร็วในการส่งถ่ายข้อมูลจุอยู่ที่ 800 MB/s ในอนาคต SLDRAM จะมีออกมาด้วยความเร็ว 1.6 GHz โดยจะเพิ่มความเร็วเป็น 3.2 GHz เมื่อมี DDR อัตราความเร็วจะอยู่ที่ประมาณ 4 GB/s
ESDRAM
ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM) ได้รับการคิดค้นโดยบริษัท EMSI โดยมีบริษัทที่เป็นสมาชิกในกลุ่มคือ IBM, Digital และ VLSI ซึ่ง Digital ได้กล่าวว่าจะนำแรมชนิดนี้ไปใช้กับเครื่อง Alpha ที่จะผลิตออกมาในไม่ช้า โดยใช้ชิพเซตที่ได้รับการออกแบบและผลิตจาก VLSI เป็นตัวควบคุมการทำงาน
ประสิทธิภาพความเร็วที่ ESDRAM มีมากกว่าแรมทั่วไป เกิดจากการนำ Row Register Cache เข้าไปรวมไว้ในชิพซึ่งทำให้เพจข้อมูลของ ESDRAM สามารถเปิดได้คราวละ 2 เพจ ในขณะที่แรมโดยทั่วไปเปิดได้ครั้งละเพจเดียวเท่านั้น มีผลให้การส่งถ่ายข้อมูลกับ ESDRAM เป็นไปด้วยความรวดเร็ว
ในช่วงแรกนี้ ESDRAM ที่ผลิตออกมาจะมีความเร็วอยู่ที่ 133 MHz คือต้องใช้ความเร็วบัส 83.3 MHz คูณกับตัวคูณประมาณ 1.6x โดยมี Random Access Time ประมาณ 35 ns และอัตราความเร็วในการส่งถ่ายข้อมูล 1.6 GB/s ในอนาคต SDRAM จะนำเทคโนโลยี DDR มาใช้ร่วมด้วย ทำให้อัตราความเร็วในการส่งถ่ายข้อมูลเพิ่มขึ้นเป็นสองเท่าจากเดิม 1.6 GB/s เป็น 3.2 GB/s รวมทั้งมีการเพิ่มความเร็วเป็น 150 MHz หรือสูงกว่านั้น
RDRAM
RDRAM (Rambus DRAM) เป็นแรมชนิดใหม่ ได้รับการคิดค้นและพัฒนาโดยบริษัท Intel และ Rambus เป็นเทคโนโลยีแรมที่มีความเร็วสูงมาก โดยมีความเร็วระหว่าง 533 - 600 MHz และสนับสนุนความเร็วบัส 267 MHz ซึ่งทำให้ RDRAM สามารถติดต่อรับส่งได้ทันกับซีพียูที่มีบัส 133 MHz ได้อย่างรวดเร็ว ผลก็คือประสิทธิภาพของเครื่องที่มีเพิ่มขึ้นมาอย่างเห็นได้ชัด
อัตราความเร็วในการส่งถ่ายข้อมูลของ RDRAM จะอยู่ที่ 533 MB/s และเนื่องจากแรมชนิดนี้สามารถทำงานโดยใช้ Ranbus Channel หลายๆ แชนเนลได้ ซึ่งในแต่ละแชนเนลสามารถส่งถ่ายข้อมูลด้วยอัตราความเร็ว 533 MB/s และในคอนโทรลเลอร์หนึ่งๆ ที่เป็นตัวควบคุมสามารถมีแชนเนลได้สูงสุด 4 แชนเนล ดังนั้นอัตราความเร็วในการส่งถ่ายข้อมูลรวมแล้วจะมากกว่า 2 GB/s เลยทีเดียว แต่แรมชนิดนี้มีจุดอ่อนที่ได้รับการผูกขาดโดยผู้ผลิตเพียงรายเดียวเท่านั้นคือ Intel และจำกัดขนาดสูงสุดที่สามารถใส่ได้เพียง 512 MB เท่านั้น
แรมชนิดนี้จะเป็นแบบ DIMM ที่ใช้ชิพ Rambus เป็นแบบ 16 บิต เหตุที่ต้องใช้ชิพ 16 บิต ก็เพราะความเร็วในการส่งถ่ายข้อมูลจะสูงมากๆ ได้จำเป็นต้องใช้แรมแบบ SIMM 32 พิน แต่เนื่องจาก SIMM 32 พิน จะต้องใส่หลายแถวเพื่อให้ครบแบงค์จึงจะทำงานได้ซึ่งเป็นการไม่สะดวก ผู้ผลิตจึงได้ผลิตออกมาในแบบ DIMM ที่มีแถวเดียวก็สามารถทำงานได้ โดยภายในยังคงทำงานได้เหมือนกับ SIMM แบบ 4 แถว ซึ่งเป็นผลให้แรมชนิดนี้มีอัตราความเร็วในการส่งถ่ายข้อมูลได้ถึง 1.6 GB/s เป็นความเร็วที่มากพอสำหรับซีพียูและการ์ด AGP ความเร็วสูงที่จะออกมาในอนาคต
Direct Rambus ได้รับการออกแบบให้สามารถรับส่งข้อมูลกับซีพียู การ์ด AGP และอุปกรณ์ต่างๆ ได้พร้อมกันด้วยความเร็วสูงโดยไม่เกิดปัญหาเรื่องคอขวด และในอนาคตถ้าการ์ด AGP มีการพัฒนาให้มีความเร็วสูงถึง 800 MHz ซึ่งจะทำให้อัตราการส่งถ่ายข้อมูลผ่านทางบัสของ AGP ได้สูงถึง 1.6 GB/s แล้ว ก็มีผลทำให้การ์ด AGP อาจไม่จำเป็นต้องพึ่งหน่วยความจำบนการ์ดแสดงผลอีกต่อไป แต่จะใช้ Direct Rambus ซึ่งเป็นหน่วยความจำหลักของระบบในการเก็บข้อมูลที่เป็น Frame-Buffer, Z-Buffer และ Texture ต่างๆ แทน
HSDRAM
HSDRAM (High Speed SDRAM) แรมชนิดนี้พัฒนาจากพื้นฐานของ SDRAM โดยบริษัท Enhanced Memory Systems รองรับความเร็วได้สูงสุด 222 MHz Access Time สูงสุดที่ 4.6 ns แล้วยังใช้ได้กับชิพเซตที่ใช้กับมาตรฐานแรมแบบ SDRAM ได้อีกด้วย ทำให้เมนบอร์ดที่สนับสนุนแรมแบบ SDRAM สามารถที่จะใช้งานร่วมกับหน่วยความจำแบบ HSDRAM ได้เลย
Tag RAM
Tag RAM ใช้หลักการเก็บแอดเดรสของหน่วยความจำเอาไว้ในแคช ถ้าซีพียูต้องการอ่านข้อมูลในแอดเดรสดังกล่าว ก็สามารถอ่านจากแคชได้โดยตรง ซึ่งจะทำให้การทำงานเร็วขึ้น และถ้าแอดเดรสที่ซีพียูต้องการใช้ไม่ได้อยู่ในแคช ซีพียูก็จะเข้าไปอ่านจากหน่วยความจำแทน
PRAM
PRAM (Parameter RAM) เป็นแรมที่ใช้กับเครื่อง Mac คุณสมบัติของแรมชนิดนี้ก็คือ จะมีแบตเตอรีจ่ายให้กับแรมขณะที่ปิดเครื่อง ทำให้ข้อมูลภายในไม่สูญหาย
VRAM
VRAM (Video RAM) มีหลักการทำงานคือ สามารถแสดงผลบนจอมอนิเตอร์ได้พร้อมๆ กับการประมวลผลคำสั่งในโปรเซสเซอร์ของการ์ดแสดงผล ทำให้การแสดงผลสามารถทำได้ราบลื่น
WRAM
WRAM (Window RAM) สามารถรับข้อมูลเข้ามาและส่งข้อมูลออกไปได้ในเวลาเดียวกัน ทำให้ WRAM มีความเร็วในการทำงานสูงกว่า VRAM
SGRAM
SGRAM (Synchronous Graphic RAM) มีความเร็วในการทำงานสูงเท่าๆ กับ SDRAM แต่ SGRAM จะใช้สำหรับการ์ดแสดงผล
MDRAM
MDRAM (Multibank Dynamic RAM) เป็นแรมที่ใช้กับการ์ดแสดงผลที่มีความเร็วในการทำงานสูงมาก สามารถส่งถ่ายข้อมูลได้เป็นกิกะไบต์ต่อวินาที

ลอกมาจากหนังสือ Microcomputer User ฉบับที่ 49
Microcomputer User ฉบับที่ 50
Microcomputer User ฉบับที่ 67
QuickPC ฉบับที่ 57